APTM120SK15G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTM120SK15G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1250W Tc
漏源极电压Vds 1200 V
连续漏极电流Ids 60A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 20600pF @25VVds
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1250W Tc
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 5
封装 SP-6
外形尺寸
封装 SP-6
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTM120SK15G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APTM120SK15G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APTM120SK15G | Microsemi 美高森美 | 降压斩波器的MOSFET功率模块 Buck chopper MOSFET Power Module | 搜索库存 |