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APT31N80JC3

APT31N80JC3

数据手册.pdf

超级结MOSFET Super Junction MOSFET

底座安装 N 通道 800 V 31A(Tc) 833W(Tc) ISOTOP®


得捷:
MOSFET N-CH 800V 31A ISOTOP


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 31A 4-Pin SOT-227


APT31N80JC3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 31.0 A

极性 N-CH

耗散功率 833W Tc

输入电容 4.51 nF

栅电荷 355 nC

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 31.0 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 4510pF @25VVds

额定功率Max 833 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 833W Tc

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT31N80JC3引脚图与封装图
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