APTC80DA15T1G

Microsemi(美高森美) 分立器件

升压斩波超级结MOSFET功率模块 Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module

底座安装 N 通道 800 V 28A（Tc） 277W（Tc） SP1

得捷:
MOSFET N-CH 800V 28A SP1

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 28A 12-Pin Case SP-1

APTC80DA15T1G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 277W Tc

漏源极电压Vds 800 V

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 4507pF @25VVds

额定功率Max 277 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 277W Tc

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 12

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTC80DA15T1G引脚图与封装图

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