APTM50DAM38TG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTM50DAM38TG中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 694W Tc
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 11200pF @25VVds
额定功率Max 694 W
下降时间 77 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 694W Tc
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 20
封装 SP-4
外形尺寸
封装 SP-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTM50DAM38TG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APTM50DAM38TG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APTM50DAM38TG | Microsemi 美高森美 | 升压斩波MOSFET功率模块 Boost chopper MOSFET Power Module | 搜索库存 |