APT50N60JCU2
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT50N60JCU2中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 290W Tc
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 7200pF @25VVds
额定功率Max 290 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 290W Tc
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT50N60JCU2引脚图与封装图
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在线购买APT50N60JCU2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT50N60JCU2 | Microsemi 美高森美 | ISOTOP ？升压斩波超级结MOSFET功率模块 ISOTOP® Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module | 搜索库存 |
替代型号APT50N60JCU2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT50N60JCU2 品牌： Microsemi 美高森美 封装： SOT-227 | 当前型号 | ISOTOP ？升压斩波超级结MOSFET功率模块 ISOTOP® Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module | 当前型号 |
| 型号： APT50N60JCCU2 品牌： 美高森美 封装： SOT-227 | 类似代替 | ISOTOP ？升压斩波超级结MOSFET功率模块 ISOTOP? Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module | APT50N60JCU2和APT50N60JCCU2的区别 |
| 型号： MKE38RK600DFELB-TRR 品牌： IXYS Semiconductor 封装： N-CH 600V 50A | 功能相似 | N-CH 600V 50A | APT50N60JCU2和MKE38RK600DFELB-TRR的区别 |