AUIRS2127STR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
AUIRS2127STR中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 80ns, 40ns
输出电流 290 mA
电源电压 12V ~ 20V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 PTC Heater, Solenoid Injection, Injection, Piezo Injection
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
AUIRS2127STR引脚图与封装图 
AUIRS2127STR电路图
在线购买AUIRS2127STR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AUIRS2127STR | Infineon 英飞凌 | 高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA | 搜索库存 |