ADR421AR
数据手册.pdfADI(亚德诺)
主动器件
ADR421AR中文资料参数规格
技术参数
额定电流 500 µA
容差 ±0.12 %
输入电压DC 18.0V max
输出电压 2.5 V
输出电流 10 mA
供电电流 600 µA
通道数 1
输入电压Max 18 V
输出电压Min 2.5 V
输出电流Max 10 mA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
精度 ±0.12 %
输入电压 4.5V ~ 18V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA
温度系数 ±10 ppm/℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
香港进出口证 NLR
ADR421AR引脚图与封装图 
ADR421AR引脚图
ADR421AR封装图
ADR421AR封装焊盘图
在线购买ADR421AR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ADR421AR | ADI 亚德诺 | 超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References | 搜索库存 |
替代型号ADR421AR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ADR421AR 品牌： ADI 亚德诺 封装： SOIC 2.5V 10mA 8Pin | 当前型号 | 超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References | 当前型号 |
| 型号： ADR421ARZ-REEL7 品牌： 亚德诺 封装： SOIC 2.5V 10mA 8Pin | 完全替代 | 超精密，低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References | ADR421AR和ADR421ARZ-REEL7的区别 |
| 型号： ADR421ARZ 品牌： 亚德诺 封装： SOIC-8 2.5V 10mA 8Pin | 类似代替 | ANALOG DEVICES ADR421ARZ 电压基准, 超高精密, 低噪, 系列 - 固定, ADR421系列, 2.5V, NSOIC-8 | ADR421AR和ADR421ARZ的区别 |
| 型号： ADR421AR-REEL7 品牌： 亚德诺 封装： SOIC 2.5V 10mA 8Pin | 类似代替 | 超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References | ADR421AR和ADR421AR-REEL7的区别 |