APTGLQ600A65T6G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTGLQ600A65T6G中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 650 V
输入电容Cies 36.6nF @25V
额定功率Max 2000 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2000000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 SP-6
外形尺寸
封装 SP-6
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTGLQ600A65T6G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APTGLQ600A65T6G | Microsemi 美高森美 | Trans IGBT Module N-CH 650V 1.2kA | 搜索库存 |