APTM20DUM04G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
极性 N-CH
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 372A
输入电容Ciss 28900pF @25VVds
额定功率Max 1250 W
安装方式 Screw
封装 SP-6
封装 SP-6
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
APTM20DUM04G | Microsemi 美高森美 | 双共源MOSFET功率模块 Dual common source MOSFET Power Module | 搜索库存 |