APTGT600U120D4G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
耗散功率 2500000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 40nF @25V
额定功率Max 2500 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2500000 mW
安装方式 Chassis
引脚数 4
封装 D-4
封装 D-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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