APTM120TDU57PG

Microsemi(美高森美) 分立器件

三重双共源MOSFET功率模块 Triple dual common source MOSFET Power Module

Mosfet Array 6 N-Channel 3-Phase Bridge 1200V 1.2kV 17A 390W Chassis Mount SP6-P

得捷:
MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 21-Pin Case SP-6P

APTM120TDU57PG中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 1200 V

连续漏极电流Ids 17A

输入电容Ciss 5155pF @25VVds

额定功率Max 390 W

封装参数

安装方式 Screw

封装 SP-6

外形尺寸

封装 SP-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTM120TDU57PG引脚图与封装图

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