APTGT200A170D3G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTGT200A170D3G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.25 kW
击穿电压集电极-发射极 1700 V
输入电容Cies 17nF @25V
额定功率Max 1250 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 1250000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 7
封装 D-3
外形尺寸
封装 D-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTGT200A170D3G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APTGT200A170D3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APTGT200A170D3G | Microsemi 美高森美 | 相脚沟道+场截止IGBT功率模块 Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module | 搜索库存 |