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APTGF75H120TG

APTGF75H120TG

数据手册.pdf

全 - 桥NPT IGBT功率模块 Full - Bridge NPT IGBT Power Module

This infineon IGBT module from will handle large currents with little seepage. It has a maximum collector emitter voltage of 1200 V. Its maximum power dissipation is 500000 mW. This IGBT driver board has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a quad configuration.

APTGF75H120TG中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 500000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 5.1nF @25V

额定功率Max 500 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 500000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 20

封装 SP-4

外形尺寸

封装 SP-4

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

APTGF75H120TG引脚图与封装图
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