APTM50HM75SCTG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 5590pF @25VVds
额定功率Max 357 W
下降时间 77 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 357000 mW
安装方式 Screw
引脚数 20
封装 SP-4
封装 SP-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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APTM50HM75SCTG | Microsemi 美高森美 | 全桥系列和碳化硅二极管并联MOSFET功率模块 Full bridge Series & SiC parallel diodes MOSFET Power Module | 搜索库存 |