APTM20DHM08G

Microsemi(美高森美) 分立器件

非对称 - 桥MOSFET功率模块 Asymmetrical - bridge MOSFET Power Module

MOSFET - 阵列

得捷:
MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 208A 8-Pin Case SP-6

APTM20DHM08G中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 208A

输入电容Ciss 14400pF @25VVds

额定功率Max 781 W

封装参数

安装方式 Screw

封装 SP-6

外形尺寸

封装 SP-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTM20DHM08G引脚图与封装图

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