APTGT150DH170G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTGT150DH170G中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1700 V
输入电容Cies 13.5nF @25V
额定功率Max 890 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 890000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 8
封装 SP-6
外形尺寸
封装 SP-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTGT150DH170G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| APTGT150DH170G | Microsemi 美高森美 | 非对称 - 桥沟道+场站IGBT功率模块 Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module | 搜索库存 |