APTGT600DA60G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
耗散功率 2300000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 49nF @25V
额定功率Max 2300 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2300000 mW
安装方式 Screw
引脚数 5
封装 SP-6
封装 SP-6
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
APTGT600DA60G | Microsemi 美高森美 | 升压斩波沟道+场截止IGBT功率模块 Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module | 搜索库存 |