APTC60DAM18CTG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 833W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 143A
输入电容Ciss 28000pF @25VVds
耗散功率Max 833W Tc
安装方式 Screw
封装 SP-4
封装 SP-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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