APTGV100H60BTPG

Microsemi(美高森美) 分立器件

升压斩波的CoolMOS ™ +全桥NPT和沟道+场截止IGBT功率模块 Boost chopper CoolMos™ + full bridge NPT & Trench + Field Stop IGBT Power module

IGBT 模块 NPT，沟槽型场截止升压斩波器，全桥 600 V 150 A 340 W 底座安装 SP6-P

得捷:
IGBT MODULE 600V 150A 340W SP6P

艾睿:
Power Module 21-Pin Case SP-6P

安富利:
Power Module 21-Pin Case SP6-P

APTGV100H60BTPG中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 340 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 6.1nF @25V

额定功率Max 340 W

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 21

封装 SP-6

外形尺寸

封装 SP-6

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTGV100H60BTPG引脚图与封装图

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