APTC80H29SCTG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTC80H29SCTG中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 800 V
输入电容Ciss 2254pF @25VVds
额定功率Max 156 W
封装参数
安装方式 Screw
封装 SP-4
外形尺寸
封装 SP-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTC80H29SCTG引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| APTC80H29SCTG | Microsemi 美高森美 | 全 - 桥系列和碳化硅二极管并联超级结MOSFET功率模块 Full - Bridge Series & SiC parallel diodes Super Junction MOSFET Power Module | 搜索库存 |