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APTC90H12T2G

数据手册.pdf

N-CH 900V 30A

Mosfet Array 4 N-Channel H-Bridge 900V 30A 250W Chassis Mount SP2


得捷:
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 30A 22-Pin


APTC90H12T2G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 6800pF @100VVds

额定功率Max 250 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 22

封装 SP-2

外形尺寸

封装 SP-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTC90H12T2G引脚图与封装图
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