APTC60DSKM45CT1G
Microsemi(美高森美)
分立器件
APTC60DSKM45CT1G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 49A
输入电容Ciss 7200pF @25VVds
额定功率Max 250 W
封装参数
安装方式 Screw
封装 SP-1
外形尺寸
封装 SP-1
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTC60DSKM45CT1G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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