APTGLQ75H120T3G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTGLQ75H120T3G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 385 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 4.4nF @25V
额定功率Max 385 W
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min 40 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 SP-1
外形尺寸
封装 SP-1
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTGLQ75H120T3G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APTGLQ75H120T3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APTGLQ75H120T3G | Microsemi 美高森美 | Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 130A | 搜索库存 |