APTGT150A120D1G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTGT150A120D1G中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 10.8nF @25V
额定功率Max 700 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 690000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 7
封装 D1
外形尺寸
封装 D1
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTGT150A120D1G引脚图与封装图
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