APTGT150A1202G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 10.7nF @25V
额定功率Max 690 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 690000 mW
安装方式 Chassis
引脚数 18
封装 SP-2
封装 SP-2
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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APTGT150A1202G | Microsemi 美高森美 | Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 220A 18Pin Case SP-2 | 搜索库存 |