APT1001R3AN
Microsemi
美高森美
分立器件
APT1001R3AN中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 230 W
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 8.5A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 2460pF @25VVds
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 230000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
APT1001R3AN引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APT1001R3AN
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT1001R3AN | Microsemi 美高森美 | TO-3 N-CH 1000V 8.5A | 搜索库存 |