APTGF50H120TG

Microsemi(美高森美) 分立器件

全 - 桥NPT IGBT功率模块 Full - Bridge NPT IGBT Power Module

IGBT 模块 NPT 全桥反相器底座安装 SP4

得捷:
IGBT MODULE 1200V 75A 312W SP4

贸泽:
IGBT Modules Power Module - IGBT

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 75A 20-Pin Case SP-4

安富利:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 75A 20-Pin Case SP4

Chip1Stop:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 75A 20-Pin Case SP-4

APTGF50H120TG中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 312 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 3.45nF @25V

额定功率Max 312 W

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 312000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 20

封装 SP-4

外形尺寸

封装 SP-4

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTGF50H120TG引脚图与封装图

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