APTGF165A60D1G

Microsemi(美高森美) 分立器件

相脚NPT IGBT功率模块 Phase leg NPT IGBT Power Module

IGBT Module NPT Half Bridge 600V 230A 781W Chassis Mount D1

得捷:
IGBT MODULE 600V 230A 781W D1

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 230A 781000mW 7-Pin Case D1

AMEYA360:
IGBT NPT PHASE 600V 230A D1

APTGF165A60D1G中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 9nF @25V

额定功率Max 781 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 781000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 D1

外形尺寸

封装 D1

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTGF165A60D1G引脚图与封装图

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