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APT60M60JLL

APT60M60JLL

数据手册.pdf
APT60M60JLL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 70.0 A

耗散功率 694W Tc

输入电容 12.6 nF

栅电荷 289 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 70.0 A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 12630pF @25VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 694W Tc

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT60M60JLL引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
APT60M60JLL Microsemi 美高森美 Trans MOSFET N-CH 600V 70A 4Pin SOT-227 搜索库存
替代型号APT60M60JLL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: APT60M60JLL

品牌: Microsemi 美高森美

封装: SOT-227 600V 70A 12.6nF

当前型号

Trans MOSFET N-CH 600V 70A 4Pin SOT-227

当前型号

型号: APT60M60JFLL

品牌: 美高森美

封装: SOT-227 600V 70A 12.6nF

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Trans MOSFET N-CH 600V 70A 4Pin SOT-227

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