APT60M60JLL
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
额定电压DC 600 V
额定电流 70.0 A
耗散功率 694W Tc
输入电容 12.6 nF
栅电荷 289 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 70.0 A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 12630pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 694W Tc
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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APT60M60JLL | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 4Pin SOT-227 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: APT60M60JLL 品牌: Microsemi 美高森美 封装: SOT-227 600V 70A 12.6nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 4Pin SOT-227 | 当前型号 | |
型号: APT60M60JFLL 品牌: 美高森美 封装: SOT-227 600V 70A 12.6nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 4Pin SOT-227 | APT60M60JLL和APT60M60JFLL的区别 |