APTGLQ40DDA120CT3G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTGLQ40DDA120CT3G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 250 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 2.3nF @25V
额定功率Max 250 W
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min 40 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 SP-6
外形尺寸
封装 SP-6
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTGLQ40DDA120CT3G引脚图与封装图
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| APTGLQ40DDA120CT3G | Microsemi 美高森美 | Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 75A | 搜索库存 |