APTGF90DA60CT1G
Microsemi(美高森美)
分立器件
APTGF90DA60CT1G中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 4.3nF @25V
额定功率Max 416 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 416000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 12
封装 SP-1
外形尺寸
封装 SP-1
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTGF90DA60CT1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APTGF90DA60CT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APTGF90DA60CT1G | Microsemi 美高森美 | 升压斩波NPT IGBT斩波器的SiC二极管 Boost chopper NPT IGBT SiC Chopper diode | 搜索库存 |