锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

APTM20DHM16T3G

数据手册.pdf

非对称 - 桥MOSFET功率模块 Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module

MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)非对称型 200V 104A 390W 底座安装 SP3


得捷:
MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3


贸泽:
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 104A 16-Pin Case SP-3


APTM20DHM16T3G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 104A

上升时间 64 ns

输入电容Ciss 7220pF @25VVds

额定功率Max 390 W

下降时间 116 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 390000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 16

封装 SP-3

外形尺寸

封装 SP-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTM20DHM16T3G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APTM20DHM16T3G
型号 制造商 描述 购买
APTM20DHM16T3G Microsemi 美高森美 非对称 - 桥MOSFET功率模块 Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module 搜索库存