APTGL40X120T3G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 1.95nF @25V
额定功率Max 220 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 220000 mW
安装方式 Chassis
封装 SP-3
封装 SP-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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APTGL40X120T3G | Microsemi 美高森美 | 3相桥沟道+场站IGBT4电源模块 3 Phase bridge Trench + Field Stop IGBT4 Power Module | 搜索库存 |