APTGT30H170T3G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTGT30H170T3G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 210 W
击穿电压集电极-发射极 1700 V
输入电容Cies 2.5nF @25V
额定功率Max 210 W
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 210000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 32
封装 SP-3
外形尺寸
封装 SP-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTGT30H170T3G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APTGT30H170T3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APTGT30H170T3G | Microsemi 美高森美 | 全 - 桥沟道+场站IGBT功率模块 Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module | 搜索库存 |