APT20M11JVFR
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT20M11JVFR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 175 A
耗散功率 700 W
输入电容 21.6 nF
栅电荷 1.04 µC
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 175 A
输入电容Ciss 21600pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700W Tc
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT20M11JVFR引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT20M11JVFR | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 200V 175A 4Pin SOT-227 | 搜索库存 |