APTM100VDA35T3G
Microsemi(美高森美)
分立器件
APTM100VDA35T3G中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 1000 V
输入电容Ciss 5200pF @25VVds
额定功率Max 390 W
封装参数
安装方式 Screw
封装 SP-3
外形尺寸
封装 SP-3
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTM100VDA35T3G引脚图与封装图
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