APTGV50H120T3G

Microsemi(美高森美) 分立器件

全 - 桥NPT和沟道+场终止？ IGBT功率模块 Full - Bridge NPT & Trench + Field Stop? IGBT Power module

IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 75A 270W Chassis Mount SP3

得捷:
IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3

贸泽:
IGBT Modules Power Module - IGBT

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 75A/75A/70A/70A 32-Pin Case SP-3

APTGV50H120T3G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 270 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 3.6nF @25V

额定功率Max 270 W

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 32

封装 SP-3

外形尺寸

封装 SP-3

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTGV50H120T3G引脚图与封装图

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