APTGT50DU120TG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 3.6nF @25V
额定功率Max 277 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 277000 mW
安装方式 Screw
引脚数 20
封装 SP-4
封装 SP-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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APTGT50DU120TG | Microsemi 美高森美 | 双共源快速沟道+场截止IGBT功率模块 Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module | 搜索库存 |