APT30M19JVR
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT30M19JVR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 300 V
额定电流 130 A
极性 N-CH
耗散功率 700000 mW
输入电容 21.6 nF
栅电荷 975 nC
漏源极电压Vds 300 V
连续漏极电流Ids 130 A
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 21600pF @25VVds
额定功率Max 700 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700W Tc
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
APT30M19JVR引脚图与封装图
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在线购买APT30M19JVR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT30M19JVR | Microsemi 美高森美 | SOT-227 N-CH 300V 130A | 搜索库存 |
替代型号APT30M19JVR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT30M19JVR 品牌： Microsemi 美高森美 封装： SOT-227 N-CH 300V 130A 21.6nF | 当前型号 | SOT-227 N-CH 300V 130A | 当前型号 |
| 型号： IXFN130N30 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOTOP N-Channel 300V 130A 22mΩ | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN130N30 晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 300 V, 22 mohm, 10 V, 4 V | APT30M19JVR和IXFN130N30的区别 |