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APTC60AM42F2G

数据手册.pdf

SP-2 N-CH 600V 66A

MOSFET - 阵列 2 N 沟道(相角) 600V 66A 416W 底座安装 SP2


得捷:
MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 66A 18-Pin Case SP-2


APTC60AM42F2G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 66A

输入电容Ciss 14600pF @25VVds

额定功率Max 416 W

封装参数

安装方式 Screw

封装 SP-2

外形尺寸

封装 SP-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTC60AM42F2G引脚图与封装图
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