APTGT50DA170TG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTGT50DA170TG中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1700 V
输入电容Cies 4.4nF @25V
额定功率Max 312 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 312000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 20
封装 SP-4
外形尺寸
封装 SP-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTGT50DA170TG引脚图与封装图
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