APTGT75A1202G

Microsemi(美高森美) 分立器件

Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 110A 18Pin Case SP-2

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 110A 357W Chassis Mount SP2

得捷:
IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP2

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 110A 18-Pin Case SP-2

APTGT75A1202G中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 5.34nF @25V

额定功率Max 357 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 357000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 18

封装 SP-2

外形尺寸

封装 SP-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTGT75A1202G引脚图与封装图

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