APTC60HM70T3G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
极性 N-CH
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 39A
输入电容Ciss 7000pF @25VVds
额定功率Max 250 W
安装方式 Screw
封装 SP-3
封装 SP-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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APTC60HM70T3G | Microsemi 美高森美 | APTC60HM70T3G 四通道 N 沟道 600 V 70 mOhm 39 A 全桥 Mosfet 模块 | 搜索库存 |