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APTC60HM70T3G

数据手册.pdf
APTC60HM70T3G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 39A

输入电容Ciss 7000pF @25VVds

额定功率Max 250 W

封装参数

安装方式 Screw

封装 SP-3

外形尺寸

封装 SP-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTC60HM70T3G引脚图与封装图
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APTC60HM70T3G Microsemi 美高森美 APTC60HM70T3G 四通道 N 沟道 600 V 70 mOhm 39 A 全桥 Mosfet 模块 搜索库存