APTC60AM83B1G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
漏源极电压Vds 600 V
输入电容Ciss 7200pF @25VVds
额定功率Max 250 W
安装方式 Screw
封装 SP-1
封装 SP-1
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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APTC60AM83B1G | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 600V 36A 11Pin Case SP-1 | 搜索库存 |