APTGF90DH60T3G

Microsemi(美高森美) 分立器件

非对称 - 桥NPT IGBT功率模块 Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module

IGBT 模块

得捷:
IGBT MODULE 600V 110A 416W SP3

贸泽:
IGBT Modules Power Module - IGBT

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 110A 32-Pin Case SP-3

安富利:
Trans IGBT Module N-CH 600V 110A 32-Pin Case SP3

APTGF90DH60T3G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 416 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 4.3nF @25V

额定功率Max 416 W

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 416000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 32

封装 SP-3

外形尺寸

封装 SP-3

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTGF90DH60T3G引脚图与封装图

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