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APTM50DHM65T3G

数据手册.pdf

非对称 - 桥MOSFET功率模块 Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module

Mosfet Array 2 N-Channel Dual Asymmetrical 500V 51A 390W Chassis Mount SP3


得捷:
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 51A 16-Pin Case SP-3


APTM50DHM65T3G中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 10800pF @25VVds

额定功率Max 390 W

封装参数

安装方式 Screw

封装 SP-3

外形尺寸

封装 SP-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTM50DHM65T3G引脚图与封装图
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