APTGT50DA120TG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTGT50DA120TG中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 277 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 3.6nF @25V
额定功率Max 277 W
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 277000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 20
封装 SP-4
外形尺寸
封装 SP-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTGT50DA120TG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APTGT50DA120TG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APTGT50DA120TG | Microsemi 美高森美 | 升压斩波快速沟道+场截止IGBT ？电源模块 Boost chopper Fast Trench + Field Stop IGBT® Power Module | 搜索库存 |