APTGT50DH120T3G

Microsemi(美高森美) 分立器件

非对称 - 桥快速沟道+场站IGBT功率模块 Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module

IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP3

得捷:
IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP3

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 75A 16-Pin Case SP-3

APTGT50DH120T3G中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 3.6nF @25V

额定功率Max 277 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 277000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 16

封装 SP-3

外形尺寸

封装 SP-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTGT50DH120T3G引脚图与封装图

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