APTGT100DH60T3G

Microsemi(美高森美) 分立器件

非对称 - 桥沟道+场站IGBT功率模块 Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module

IGBT 模块沟槽型场截止非对称桥 600 V 150 A 340 W 通孔 SP3

得捷:
IGBT MODULE 600V 150A 340W SP3

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 150A 16-Pin Case SP-3

安富利:
Trans IGBT Module N-CH 600V 150A 16-Pin Case SP3

APTGT100DH60T3G中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 6.1nF @25V

额定功率Max 340 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 340000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 16

封装 SP-3

外形尺寸

封装 SP-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTGT100DH60T3G引脚图与封装图

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