APTGF50H60T2G

Microsemi(美高森美) 分立器件

Trans IGBT Module N-CH 600V 65A 22Pin Case SP-2

IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 600V 65A 250W Chassis Mount SP3

得捷:
IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 65A 22-Pin Case SP-2

安富利:
Trans IGBT Module N-CH 600V 65A 22-Pin Case SP-2

Chip1Stop:
Trans IGBT Module N-CH 600V 65A 22-Pin Case SP-2

APTGF50H60T2G中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 2.2nF @25V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 22

封装 SP-3

外形尺寸

封装 SP-3

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTGF50H60T2G引脚图与封装图

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